CYDM256B16-55BVXIT

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Número de parte CYDM256B16-55BVXIT
LIXINC Part # CYDM256B16-55BVXIT
Fabricante Cypress Semiconductor
Categoría circuitos integradosmemoria
Descripción IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD CYDM256B16-55BVXIT Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Jul 08 - Jul 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

CYDM256B16-55BVXIT Especificaciones

Número de parte:CYDM256B16-55BVXIT
Marca:Cypress Semiconductor
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:circuitos integrados
Subcategoría:memoria
Fabricante:Cypress Semiconductor
serie:-
paquete:Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:Obsolete
tipo de memoria:Volatile
formato de memoria:SRAM
tecnología:SRAM - Dual Port, MoBL
tamaño de la memoria:256Kb (16K x 16)
interfaz de memoria:Parallel
frecuencia de reloj:-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:55ns
tiempo de acceso:55 ns
suministro de voltaje:1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:100-VFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:100-VFBGA (6x6)

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