TC58CVG0S3HQAIE | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) TC58CVG0S3HQAIE

TC58CVG0S3HQAIE

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Número de parte	TC58CVG0S3HQAIE
LIXINC Part #	TC58CVG0S3HQAIE
Fabricante	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC FLASH 1GBIT SPI 104MHZ 16SOP
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	TC58CVG0S3HQAIE Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

TC58CVG0S3HQAIE Especificaciones

Número de parte:	TC58CVG0S3HQAIE
Marca:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Non-Volatile
formato de memoria:	FLASH
tecnología:	FLASH - NAND (SLC)
tamaño de la memoria:	1Gb (128M x 8)
interfaz de memoria:	SPI
frecuencia de reloj:	104 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	155 µs
suministro de voltaje:	2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
paquete de dispositivos del proveedor:	16-SOP