S29WS512R0SBHW200E | Cypress Semiconductor S29WS512R0SBHW200E | S29WS512R0SBHW200E Inventory, Best Pricing

S29WS512R0SBHW200E

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Número de parte	S29WS512R0SBHW200E
LIXINC Part #	S29WS512R0SBHW200E
Fabricante	Cypress Semiconductor
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC FLASH 512MBIT PARALLEL 84FBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	S29WS512R0SBHW200E Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

S29WS512R0SBHW200E Especificaciones

Número de parte:	S29WS512R0SBHW200E
Marca:	Cypress Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Cypress Semiconductor
serie:	WS-R
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de memoria:	Non-Volatile
formato de memoria:	FLASH
tecnología:	FLASH - NOR
tamaño de la memoria:	512Mb (32M x 16)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	104 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	60ns
tiempo de acceso:	80 ns
suministro de voltaje:	1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento:	-25°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	84-VFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	84-FBGA (11.6x8)