MT40A1G8WE-083E AAT:B TR | Micron Technology MT40A1G8WE-083E AAT:B TR | MT40A1G8WE-083E AAT:B TR Inventory, Best Pricing

MT40A1G8WE-083E AAT:B TR

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Número de parte	MT40A1G8WE-083E AAT:B TR
LIXINC Part #	MT40A1G8WE-083E AAT:B TR
Fabricante	Micron Technology
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	MT40A1G8WE-083E AAT:B TR Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

MT40A1G8WE-083E AAT:B TR Especificaciones

Número de parte:	MT40A1G8WE-083E AAT:B TR
Marca:	Micron Technology
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Micron Technology
serie:	Automotive, AEC-Q100
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	DRAM
tecnología:	SDRAM - DDR4
tamaño de la memoria:	8Gb (1G x 8)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	1.2 GHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	-
suministro de voltaje:	1.14V ~ 1.26V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 105°C (TC)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	78-TFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	78-FBGA (8x12)