THGBMHG8C4LBAWR | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) THGBMHG8C4LBAWR

THGBMHG8C4LBAWR

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Número de parte	THGBMHG8C4LBAWR
LIXINC Part #	THGBMHG8C4LBAWR
Fabricante	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC FLASH 256GBIT EMMC 153WFBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	THGBMHG8C4LBAWR Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 26 - Oct 30 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

THGBMHG8C4LBAWR Especificaciones

Número de parte:	THGBMHG8C4LBAWR
Marca:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
serie:	e•MMC™
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de memoria:	Non-Volatile
formato de memoria:	FLASH
tecnología:	FLASH - NAND
tamaño de la memoria:	256Gb (32G x 8)
interfaz de memoria:	eMMC
frecuencia de reloj:	52 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	-
suministro de voltaje:	2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	153-WFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	153-WFBGA (11.5x13)