CY7C1021BN-12VXI

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Número de parte	CY7C1021BN-12VXI
LIXINC Part #	CY7C1021BN-12VXI
Fabricante	Cypress Semiconductor
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	CY7C1021BN-12VXI Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

CY7C1021BN-12VXI Especificaciones

Número de parte:	CY7C1021BN-12VXI
Marca:	Cypress Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Cypress Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM - Asynchronous
tamaño de la memoria:	1Mb (64K x 16)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	12ns
tiempo de acceso:	12 ns
suministro de voltaje:	4.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
paquete de dispositivos del proveedor:	44-SOJ

CY7C1021BN-12VXI Documentos

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