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Número de parte | MT53E256M32D2DS-046 AUT:B |
LIXINC Part # | MT53E256M32D2DS-046 AUT:B |
Fabricante | Micron Technology |
Categoría | circuitos integrados › memoria |
Descripción | IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA |
Ciclo vital | Activo |
RoHS | Sin información RoHS |
Modelos EDA/CAD | MT53E256M32D2DS-046 AUT:B Huella y símbolo de PCB |
Almacenes | Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong |
Entrega estimada | Jul 08 - Jul 12 2024(Elija envío acelerado) |
Garantía | Hasta 1 año [Garantía limitada]* |
Pago | ![]() |
Envío | ![]() |
Número de parte: | MT53E256M32D2DS-046 AUT:B |
Marca: | Micron Technology |
Ciclo vital: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoría: | circuitos integrados |
Subcategoría: | memoria |
Fabricante: | Micron Technology |
serie: | Automotive, AEC-Q100 |
paquete: | Tray |
estado de la pieza: | Obsolete |
tipo de memoria: | Volatile |
formato de memoria: | DRAM |
tecnología: | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
tamaño de la memoria: | 8Gb (256M x 32) |
interfaz de memoria: | - |
frecuencia de reloj: | 2.133 GHz |
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página: | - |
tiempo de acceso: | - |
suministro de voltaje: | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 125°C (TC) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
paquete / caja: | 200-WFBGA |
paquete de dispositivos del proveedor: | 200-WFBGA (10x14.5) |
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En stock | 10984 - Más sobre el pedido |
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Límite de cotización | Sin límite |
Tiempo de espera | Para ser confirmado |
Mínimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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