70V261S35PF

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Número de parte	70V261S35PF
LIXINC Part #	70V261S35PF
Fabricante	Renesas Electronics America
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	70V261S35PF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
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70V261S35PF Especificaciones

Número de parte:	70V261S35PF
Marca:	Renesas Electronics America
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Renesas Electronics America
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM - Dual Port, Asynchronous
tamaño de la memoria:	256Kb (16K x 16)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	35ns
tiempo de acceso:	35 ns
suministro de voltaje:	3V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	100-LQFP
paquete de dispositivos del proveedor:	100-TQFP (14x14)

70V261S35PF Documentos

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