IDT71V25761YSA200BG | Renesas Electronics America IDT71V25761YSA200BG | IDT71V25761YSA200BG Inventory, Best Pricing

IDT71V25761YSA200BG

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	IDT71V25761YSA200BG
LIXINC Part #	IDT71V25761YSA200BG
Fabricante	Renesas Electronics America
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IDT71V25761YSA200BG Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IDT71V25761YSA200BG Especificaciones

Número de parte:	IDT71V25761YSA200BG
Marca:	Renesas Electronics America
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Renesas Electronics America
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM - Synchronous, SDR
tamaño de la memoria:	4.5Mb (128K x 36)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	200 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	5 ns
suministro de voltaje:	3.135V ~ 3.465V
Temperatura de funcionamiento:	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	119-BGA
paquete de dispositivos del proveedor:	119-PBGA (14x22)