NM27C512QE120

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Número de parte	NM27C512QE120
LIXINC Part #	NM27C512QE120
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC EPROM 512KBIT PARALLEL 28CDIP
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NM27C512QE120 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
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NM27C512QE120 Especificaciones

Número de parte:	NM27C512QE120
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de memoria:	Non-Volatile
formato de memoria:	EPROM
tecnología:	EPROM - UV
tamaño de la memoria:	512Kb (64K x 8)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	120 ns
suministro de voltaje:	4.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	28-CDIP (0.600", 15.24mm) Window
paquete de dispositivos del proveedor:	28-CDIP

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