AS4C8M16S-6BIN

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Número de parte	AS4C8M16S-6BIN
LIXINC Part #	AS4C8M16S-6BIN
Fabricante	Alliance Memory, Inc.
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	AS4C8M16S-6BIN Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Aug 15 - Aug 19 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
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AS4C8M16S-6BIN Especificaciones

Número de parte:	AS4C8M16S-6BIN
Marca:	Alliance Memory, Inc.
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Alliance Memory, Inc.
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	DRAM
tecnología:	SDRAM
tamaño de la memoria:	128Mb (8M x 16)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	166 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	2ns
tiempo de acceso:	5 ns
suministro de voltaje:	3V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	54-TFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	54-TFBGA (8x8)

AS4C8M16S-6BIN Documentos

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