N01L63W3AB25I

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Número de parte	N01L63W3AB25I
LIXINC Part #	N01L63W3AB25I
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48BGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	N01L63W3AB25I Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
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N01L63W3AB25I Especificaciones

Número de parte:	N01L63W3AB25I
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM - Asynchronous
tamaño de la memoria:	1Mb (64K x 16)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	55ns
tiempo de acceso:	55 ns
suministro de voltaje:	2.3V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	48-LFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	48-BGA (6x8)

N01L63W3AB25I Documentos

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