NAND512R3A2BZA6E

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Número de parte	NAND512R3A2BZA6E
LIXINC Part #	NAND512R3A2BZA6E
Fabricante	STMicroelectronics
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NAND512R3A2BZA6E Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 18 - Oct 22 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
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NAND512R3A2BZA6E Especificaciones

Número de parte:	NAND512R3A2BZA6E
Marca:	STMicroelectronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	STMicroelectronics
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de memoria:	Non-Volatile
formato de memoria:	FLASH
tecnología:	FLASH - NAND
tamaño de la memoria:	512Mb (64M x 8)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	60ns
tiempo de acceso:	60 ns
suministro de voltaje:	1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	63-VFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	63-VFBGA (8.5x15)

NAND512R3A2BZA6E Documentos

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