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Número de parte | EDB1316BDBH-1DIT-F-D |
LIXINC Part # | EDB1316BDBH-1DIT-F-D |
Fabricante | Micron Technology |
Categoría | circuitos integrados › memoria |
Descripción | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA |
Ciclo vital | Activo |
RoHS | Sin información RoHS |
Modelos EDA/CAD | EDB1316BDBH-1DIT-F-D Huella y símbolo de PCB |
Almacenes | Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong |
Entrega estimada | Jul 03 - Jul 07 2024(Elija envío acelerado) |
Garantía | Hasta 1 año [Garantía limitada]* |
Pago | ![]() |
Envío | ![]() |
Número de parte: | EDB1316BDBH-1DIT-F-D |
Marca: | Micron Technology |
Ciclo vital: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoría: | circuitos integrados |
Subcategoría: | memoria |
Fabricante: | Micron Technology |
serie: | - |
paquete: | Bulk |
estado de la pieza: | Obsolete |
tipo de memoria: | Volatile |
formato de memoria: | DRAM |
tecnología: | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
tamaño de la memoria: | 1Gb (64M x 16) |
interfaz de memoria: | Parallel |
frecuencia de reloj: | 533 MHz |
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página: | - |
tiempo de acceso: | - |
suministro de voltaje: | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
paquete / caja: | 134-VFBGA |
paquete de dispositivos del proveedor: | 134-VFBGA (10x11.5) |
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En stock | 10907 - Más sobre el pedido |
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Límite de cotización | Sin límite |
Tiempo de espera | Para ser confirmado |
Mínimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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