BQ4011YMA-70N

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Número de parte	BQ4011YMA-70N
LIXINC Part #	BQ4011YMA-70N
Fabricante	Texas Instruments
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BQ4011YMA-70N Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
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BQ4011YMA-70N Especificaciones

Número de parte:	BQ4011YMA-70N
Marca:	Texas Instruments
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Texas Instruments
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de memoria:	Non-Volatile
formato de memoria:	NVSRAM
tecnología:	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
tamaño de la memoria:	256Kb (32K x 8)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	70ns
tiempo de acceso:	70 ns
suministro de voltaje:	4.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
paquete de dispositivos del proveedor:	28-DIP Module (18.42x37.72)

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