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6116LA35TDB

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Número de parte 6116LA35TDB
LIXINC Part # 6116LA35TDB
Fabricante Renesas Electronics America
Categoría circuitos integrados › memoria
Descripción IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24CDIP
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD 6116LA35TDB Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

6116LA35TDB Especificaciones

Número de parte:6116LA35TDB
Marca:Renesas Electronics America
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:circuitos integrados
Subcategoría:memoria
Fabricante:Renesas Electronics America
serie:-
paquete:Tray
estado de la pieza:Active
tipo de memoria:Volatile
formato de memoria:SRAM
tecnología:SRAM - Asynchronous
tamaño de la memoria:16Kb (2K x 8)
interfaz de memoria:Parallel
frecuencia de reloj:-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:35ns
tiempo de acceso:35 ns
suministro de voltaje:4.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 125°C (TA)
Tipo de montaje:Through Hole
paquete / caja:24-CDIP (0.300", 7.62mm)
paquete de dispositivos del proveedor:24-CDIP

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