MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-R | Micron Technology MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-R | MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-R Inventory, Best Pricing

MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-R

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Número de parte	MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-R
LIXINC Part #	MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-R
Fabricante	Micron Technology
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC FLASH 512GBIT DIE
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-R Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-R Especificaciones

Número de parte:	MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-R
Marca:	Micron Technology
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Micron Technology
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Non-Volatile
formato de memoria:	FLASH
tecnología:	FLASH - NAND (TLC)
tamaño de la memoria:	512Gb (64G x 8)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	-
suministro de voltaje:	2.5V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:	0°C ~ 70°C
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	Die
paquete de dispositivos del proveedor:	Die

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Qty.	Unit Price	Ext. Price
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