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IS43QR16512A-083TBLI

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Número de parte	IS43QR16512A-083TBLI
LIXINC Part #	IS43QR16512A-083TBLI
Fabricante	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96TWBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IS43QR16512A-083TBLI Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IS43QR16512A-083TBLI Especificaciones

Número de parte:	IS43QR16512A-083TBLI
Marca:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	DRAM
tecnología:	SDRAM - DDR4
tamaño de la memoria:	8Gb (512M x 16)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	1.2 GHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	15ns
tiempo de acceso:	19 ns
suministro de voltaje:	1.14V ~ 1.26V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	96-TFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	96-TWBGA (10x14)

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Qty.	Unit Price	Ext. Price
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