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MB85RS4MLYPN-G-AWERE1

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Número de parte	MB85RS4MLYPN-G-AWERE1
LIXINC Part #	MB85RS4MLYPN-G-AWERE1
Fabricante	Fujitsu Electronics America, Inc.
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC FRAM 4MBIT SPI 50MHZ 8DFN
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	MB85RS4MLYPN-G-AWERE1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 05 - Jul 09 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

MB85RS4MLYPN-G-AWERE1 Especificaciones

Número de parte:	MB85RS4MLYPN-G-AWERE1
Marca:	Fujitsu Electronics America, Inc.
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Fujitsu Electronics America, Inc.
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Non-Volatile
formato de memoria:	FRAM
tecnología:	FRAM (Ferroelectric RAM)
tamaño de la memoria:	4Mb (512K x 8)
interfaz de memoria:	SPI
frecuencia de reloj:	50 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	-
suministro de voltaje:	1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	8-VDFN Exposed Pad
paquete de dispositivos del proveedor:	8-DFN (5x6)

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Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$6.75000	$6.75

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