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S72VS256RE0AHBJ10

S72VS256RE0AHBJ10
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Número de parte S72VS256RE0AHBJ10
LIXINC Part # S72VS256RE0AHBJ10
Fabricante Cypress Semiconductor
Categoría circuitos integrados › memoria
Descripción IC FLASH RAM 256MBIT PAR 133FBGA
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD S72VS256RE0AHBJ10 Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

S72VS256RE0AHBJ10 Especificaciones

Número de parte:S72VS256RE0AHBJ10
Marca:Cypress Semiconductor
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:circuitos integrados
Subcategoría:memoria
Fabricante:Cypress Semiconductor
serie:VS-R
paquete:Tray
estado de la pieza:Obsolete
tipo de memoria:Non-Volatile
formato de memoria:FLASH, RAM
tecnología:FLASH, DRAM
tamaño de la memoria:256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM
interfaz de memoria:Parallel
frecuencia de reloj:108 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:-
tiempo de acceso:-
suministro de voltaje:1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento:-25°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:133-VFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:133-FBGA (8x8)

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