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70V657S12DRGI

70V657S12DRGI
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Número de parte 70V657S12DRGI
LIXINC Part # 70V657S12DRGI
Fabricante Renesas Electronics America
Categoría circuitos integrados › memoria
Descripción IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD 70V657S12DRGI Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 06 - Oct 10 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

70V657S12DRGI Especificaciones

Número de parte:70V657S12DRGI
Marca:Renesas Electronics America
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:circuitos integrados
Subcategoría:memoria
Fabricante:Renesas Electronics America
serie:-
paquete:Tray
estado de la pieza:Active
tipo de memoria:Volatile
formato de memoria:SRAM
tecnología:SRAM - Dual Port, Asynchronous
tamaño de la memoria:1.125Mb (32K x 36)
interfaz de memoria:Parallel
frecuencia de reloj:-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:12ns
tiempo de acceso:12 ns
suministro de voltaje:3.15V ~ 3.45V
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:208-BFQFP
paquete de dispositivos del proveedor:208-PQFP (28x28)

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