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EM6AA160TSE-4G

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Número de parte	EM6AA160TSE-4G
LIXINC Part #	EM6AA160TSE-4G
Fabricante	Etron Technology
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	EM6AA160TSE-4G Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
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EM6AA160TSE-4G Especificaciones

Número de parte:	EM6AA160TSE-4G
Marca:	Etron Technology
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Etron Technology
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	DRAM
tecnología:	SDRAM - DDR
tamaño de la memoria:	256Mb (16M x 16)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	250 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	15ns
tiempo de acceso:	700 ps
suministro de voltaje:	2.3V ~ 2.7V
Temperatura de funcionamiento:	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
paquete de dispositivos del proveedor:	66-TSOP II

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