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EM63B165TS-5ISG

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Número de parte	EM63B165TS-5ISG
LIXINC Part #	EM63B165TS-5ISG
Fabricante	Etron Technology
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	EM63B165TS-5ISG Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Aug 14 - Aug 18 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
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EM63B165TS-5ISG Especificaciones

Número de parte:	EM63B165TS-5ISG
Marca:	Etron Technology
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Etron Technology
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	DRAM
tecnología:	SDRAM
tamaño de la memoria:	512M (32M x 16)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	200 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	10ns
tiempo de acceso:	4.5 ns
suministro de voltaje:	3V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
paquete de dispositivos del proveedor:	54-TSOP II

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