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AS4C256M16MD4-062BAN

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Número de parte	AS4C256M16MD4-062BAN
LIXINC Part #	AS4C256M16MD4-062BAN
Fabricante	Alliance Memory, Inc.
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC DRAM 2GBIT LVSTL 200FBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	AS4C256M16MD4-062BAN Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 07 - Jul 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

AS4C256M16MD4-062BAN Especificaciones

Número de parte:	AS4C256M16MD4-062BAN
Marca:	Alliance Memory, Inc.
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Alliance Memory, Inc.
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	DRAM
tecnología:	SDRAM - Mobile LPDDR4
tamaño de la memoria:	2Gb (128M x 16)
interfaz de memoria:	LVSTL
frecuencia de reloj:	1.6 GHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	18ns
tiempo de acceso:	3.5 ns
suministro de voltaje:	1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 105°C (TC)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	200-TFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	200-FBGA (10x14.5)

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Qty.	Unit Price	Ext. Price
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