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UPD48576236F1-E24-DW1-E2-A

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Número de parte	UPD48576236F1-E24-DW1-E2-A
LIXINC Part #	UPD48576236F1-E24-DW1-E2-A
Fabricante	Renesas Electronics America
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	UPD48576236F1-E24-DW1-E2-A Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

UPD48576236F1-E24-DW1-E2-A Especificaciones

Número de parte:	UPD48576236F1-E24-DW1-E2-A
Marca:	Renesas Electronics America
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Renesas Electronics America
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Last Time Buy
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	DRAM
tecnología:	LLDRAM2
tamaño de la memoria:	576Mb (16M x 36)
interfaz de memoria:	HSTL
frecuencia de reloj:	400 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	20 ns
suministro de voltaje:	1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento:	0°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	144-TBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	144-TFBGA (11x18.5)

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