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NAND16GW3B6DPA6F TR

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Número de parte	NAND16GW3B6DPA6F TR
LIXINC Part #	NAND16GW3B6DPA6F TR
Fabricante	Micron Technology
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC FLSH 16GBIT PARALLEL 114LFBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NAND16GW3B6DPA6F TR Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 09 - Oct 13 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NAND16GW3B6DPA6F TR Especificaciones

Número de parte:	NAND16GW3B6DPA6F TR
Marca:	Micron Technology
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Micron Technology
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de memoria:	Non-Volatile
formato de memoria:	FLASH
tecnología:	FLASH - NAND
tamaño de la memoria:	16Gb (2G x 8)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	25ns
tiempo de acceso:	25 ns
suministro de voltaje:	2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	114-LFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	114-LFBGA (12x16)

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