MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E | Micron Technology MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E | MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E Inventory, Best Pricing

MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E
LIXINC Part #	MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E
Fabricante	Micron Technology
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC DRAM 64GBIT 1866MHZ 556VFBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E Especificaciones

Número de parte:	MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E
Marca:	Micron Technology
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Micron Technology
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	DRAM
tecnología:	SDRAM - Mobile LPDDR4
tamaño de la memoria:	64Gb (1G x 64)
interfaz de memoria:	-
frecuencia de reloj:	1.866 GHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	-
suministro de voltaje:	1.1V
Temperatura de funcionamiento:	-30°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	556-VFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	556-VFBGA (12.4x12.4)

Consejos cálidos: por favor complete el formulario a continuación. Nos pondremos en contacto con usted tan pronto como sea posible.

Lixinc le ofrecerá los precios más competitivos, consulte las cotizaciones.

[email protected]

LIXINC

Enviar mensaje

Por favor, siéntase libre de contactarnos para más detalles.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015