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MT41J512M8RH-107:E

MT41J512M8RH-107:E
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Número de parte MT41J512M8RH-107:E
LIXINC Part # MT41J512M8RH-107:E
Fabricante Micron Technology
Categoría circuitos integrados › memoria
Descripción IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD MT41J512M8RH-107:E Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MT41J512M8RH-107:E Especificaciones

Número de parte:MT41J512M8RH-107:E
Marca:Micron Technology
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:circuitos integrados
Subcategoría:memoria
Fabricante:Micron Technology
serie:-
paquete:Tray
estado de la pieza:Obsolete
tipo de memoria:Volatile
formato de memoria:DRAM
tecnología:SDRAM - DDR3
tamaño de la memoria:4Gb (512M x 8)
interfaz de memoria:Parallel
frecuencia de reloj:933 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:-
tiempo de acceso:20 ns
suministro de voltaje:1.425V ~ 1.575V
Temperatura de funcionamiento:0°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:78-TFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:78-FBGA (9x10.5)

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