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ECF840AAACN-C2-Y3

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Número de parte	ECF840AAACN-C2-Y3
LIXINC Part #	ECF840AAACN-C2-Y3
Fabricante	Micron Technology
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC DRAM 8GBIT PARALLEL
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	ECF840AAACN-C2-Y3 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 11 - Oct 15 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

ECF840AAACN-C2-Y3 Especificaciones

Número de parte:	ECF840AAACN-C2-Y3
Marca:	Micron Technology
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Micron Technology
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	DRAM
tecnología:	SDRAM - Mobile LPDDR3
tamaño de la memoria:	8Gb (512M x 16)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	-
suministro de voltaje:	1.14V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento:	-
Tipo de montaje:	-
paquete / caja:	-
paquete de dispositivos del proveedor:	-

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