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70T633S10BFG

70T633S10BFG
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Número de parte 70T633S10BFG
LIXINC Part # 70T633S10BFG
Fabricante Renesas Electronics America
Categoría circuitos integrados › memoria
Descripción IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD 70T633S10BFG Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 22 - Oct 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

70T633S10BFG Especificaciones

Número de parte:70T633S10BFG
Marca:Renesas Electronics America
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:circuitos integrados
Subcategoría:memoria
Fabricante:Renesas Electronics America
serie:-
paquete:Tray
estado de la pieza:Obsolete
tipo de memoria:Volatile
formato de memoria:SRAM
tecnología:SRAM - Dual Port, Asynchronous
tamaño de la memoria:9Mb (512K x 18)
interfaz de memoria:Parallel
frecuencia de reloj:-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:10ns
tiempo de acceso:10 ns
suministro de voltaje:2.4V ~ 2.6V
Temperatura de funcionamiento:0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:208-LFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:208-CABGA (15x15)

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