MT53D1024M32D4NQ-046 AAT ES :D | Micron Technology MT53D1024M32D4NQ-046 AAT ES :D | MT53D1024M32D4NQ-046 AAT ES :D Inventory, Best Pricing

MT53D1024M32D4NQ-046 AAT ES :D

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Número de parte	MT53D1024M32D4NQ-046 AAT ES :D
LIXINC Part #	MT53D1024M32D4NQ-046 AAT ES :D
Fabricante	Micron Technology
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC DRAM 32GBIT 2133MHZ 200VFBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	MT53D1024M32D4NQ-046 AAT ES :D Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 26 - Oct 30 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

MT53D1024M32D4NQ-046 AAT ES :D Especificaciones

Número de parte:	MT53D1024M32D4NQ-046 AAT ES :D
Marca:	Micron Technology
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Micron Technology
serie:	Automotive, AEC-Q100
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	DRAM
tecnología:	SDRAM - Mobile LPDDR4
tamaño de la memoria:	32Gb (1G x 32)
interfaz de memoria:	-
frecuencia de reloj:	2.133 GHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	-
suministro de voltaje:	1.1V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 105°C (TC)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	200-VFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	200-VFBGA (10x14.5)

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