MT29F512G08EMCBBJ5-10:B | Micron Technology MT29F512G08EMCBBJ5-10:B | MT29F512G08EMCBBJ5-10:B Inventory, Best Pricing

MT29F512G08EMCBBJ5-10:B

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Número de parte	MT29F512G08EMCBBJ5-10:B
LIXINC Part #	MT29F512G08EMCBBJ5-10:B
Fabricante	Micron Technology
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC FLASH 512GBIT PARALLEL 100MHZ
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	MT29F512G08EMCBBJ5-10:B Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

MT29F512G08EMCBBJ5-10:B Especificaciones

Número de parte:	MT29F512G08EMCBBJ5-10:B
Marca:	Micron Technology
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Micron Technology
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de memoria:	Non-Volatile
formato de memoria:	FLASH
tecnología:	FLASH - NAND (TLC)
tamaño de la memoria:	512Gb (64G x 8)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	100 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	-
suministro de voltaje:	2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	-
paquete de dispositivos del proveedor:	132-TBGA (12x18)

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MT29F4G16ABADAH4-IT:D TR	IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA	998 Más sobre el pedido
MT53D1024M32D4NQ-062 WT ES:D	IC DRAM 32GBIT 1600MHZ 200VFBGA	961 Más sobre el pedido
MT29F4G01ADAGDSF-IT:G	IC FLASH 4GBIT SPI 16SO	904 Más sobre el pedido
DS2502U-1172+	IC INTEGRATED CIRCUIT	971 Más sobre el pedido
MT53B8DANK-DC	SPECIAL/CUSTOM LPDDR4	849 Más sobre el pedido
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PC28F256P33T2E	IC FLASH 256MBIT PAR 64EASYBGA	867 Más sobre el pedido
SMV512K32HFG	IC SRAM 16MBIT PARALLEL 76CFP	978 Más sobre el pedido
11AA160-I/S16K	IC EEPROM 16KBIT SINGLE WIRE DIE	912 Más sobre el pedido
MT29F256G08CMCABK3-10Z:A TR	IC FLASH 256GBIT PARALLEL 100MHZ	969 Más sobre el pedido

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