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DS28E05GB+U

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Número de parte	DS28E05GB+U
LIXINC Part #	DS28E05GB+U
Fabricante	Maxim Integrated
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC EEPROM 896B 1-WIRE 2SFN
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	DS28E05GB+U Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

DS28E05GB+U Especificaciones

Número de parte:	DS28E05GB+U
Marca:	Maxim Integrated
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Maxim Integrated
serie:	-
paquete:	Strip
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Non-Volatile
formato de memoria:	EEPROM
tecnología:	EEPROM
tamaño de la memoria:	896b (112 x 8)
interfaz de memoria:	1-Wire®
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	2 µs
suministro de voltaje:	3V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	2-XDFN
paquete de dispositivos del proveedor:	2-SFN (3.5x5)

A2C01507400 A	IC MEMORY NOR 16SOIC	916 Más sobre el pedido
DS3645B+	IC DEEPCOVER SEC MNGR 49CSBGA	928 Más sobre el pedido
M29W400FT55N3E	IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP	949 Más sobre el pedido
24AA02SC-I/WF16K	IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ DIE	958 Más sobre el pedido
CG8663AA	IC USB PERIPHERAL SUPER SPEED	920 Más sobre el pedido
PF48F4000P0ZBQE3	IC FLASH 256MBIT PARALLEL 88SCSP	946 Más sobre el pedido
N25Q064A13EV740	IC FLASH 64MBIT SPI 108MHZ	922 Más sobre el pedido
MT48H16M16LFBF-6 IT:H	IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54VFBGA	894 Más sobre el pedido
MT47H128M8SH-25E:M	IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA	842 Más sobre el pedido
AT49BV802AT-70CI	IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48CBGA	950 Más sobre el pedido
S4013001270B0C010	IC MEMORY NOR	844 Más sobre el pedido
MT53D512M64D4NW-062 WT:D TR	IC DRAM 32GBIT 1600MHZ 432VFBGA	801 Más sobre el pedido
CG7761AA	MICROPOWER SRAMS	808 Más sobre el pedido

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