MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR | Micron Technology MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR | MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR Inventory, Best Pricing

MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR

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Número de parte	MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR
LIXINC Part #	MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR
Fabricante	Micron Technology
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC DRAM 32GBIT 2133MHZ FBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
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Envío

MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR Especificaciones

Número de parte:	MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR
Marca:	Micron Technology
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Micron Technology
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	DRAM
tecnología:	SDRAM - Mobile LPDDR4
tamaño de la memoria:	32Gb (512M x 64)
interfaz de memoria:	-
frecuencia de reloj:	2.133 GHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	-
suministro de voltaje:	1.1V
Temperatura de funcionamiento:	-30°C ~ 105°C (TC)
Tipo de montaje:	-
paquete / caja:	-
paquete de dispositivos del proveedor:	-

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