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MB85R256GPF-G-BNDE1

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Número de parte	MB85R256GPF-G-BNDE1
LIXINC Part #	MB85R256GPF-G-BNDE1
Fabricante	Fujitsu Electronics America, Inc.
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC FRAM 256KBIT PARALLEL
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	MB85R256GPF-G-BNDE1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 06 - Oct 10 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

MB85R256GPF-G-BNDE1 Especificaciones

Número de parte:	MB85R256GPF-G-BNDE1
Marca:	Fujitsu Electronics America, Inc.
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Fujitsu Electronics America, Inc.
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de memoria:	Non-Volatile
formato de memoria:	FRAM
tecnología:	FRAM (Ferroelectric RAM)
tamaño de la memoria:	256Kb (32K x 8)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	150ns
tiempo de acceso:	150 ns
suministro de voltaje:	2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	-
paquete / caja:	-
paquete de dispositivos del proveedor:	-

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