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IS43DR16640B-25EBLI

IS43DR16640B-25EBLI
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Número de parte IS43DR16640B-25EBLI
LIXINC Part # IS43DR16640B-25EBLI
Fabricante ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Categoría circuitos integrados › memoria
Descripción IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD IS43DR16640B-25EBLI Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IS43DR16640B-25EBLI Especificaciones

Número de parte:IS43DR16640B-25EBLI
Marca:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:circuitos integrados
Subcategoría:memoria
Fabricante:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
serie:-
paquete:Tray
estado de la pieza:Active
tipo de memoria:Volatile
formato de memoria:DRAM
tecnología:SDRAM - DDR2
tamaño de la memoria:1Gb (64M x 16)
interfaz de memoria:Parallel
frecuencia de reloj:400 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:15ns
tiempo de acceso:450 ps
suministro de voltaje:1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:84-TFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:84-TWBGA (8x12.5)

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