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NAND512R3A2AZA6E

NAND512R3A2AZA6E
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Número de parte NAND512R3A2AZA6E
LIXINC Part # NAND512R3A2AZA6E
Fabricante STMicroelectronics
Categoría circuitos integrados › memoria
Descripción IC FLSH 512MBIT PARALLEL 55VFBGA
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD NAND512R3A2AZA6E Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 27 - Oct 31 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NAND512R3A2AZA6E Especificaciones

Número de parte:NAND512R3A2AZA6E
Marca:STMicroelectronics
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:circuitos integrados
Subcategoría:memoria
Fabricante:STMicroelectronics
serie:-
paquete:Tray
estado de la pieza:Obsolete
tipo de memoria:Non-Volatile
formato de memoria:FLASH
tecnología:FLASH - NAND
tamaño de la memoria:512Mb (64M x 8)
interfaz de memoria:Parallel
frecuencia de reloj:-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:60ns
tiempo de acceso:60 ns
suministro de voltaje:1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:55-TFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:55-VFBGA (8x10)

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