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IS43TR16512S2DL-125KBL

IS43TR16512S2DL-125KBL
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Número de parte IS43TR16512S2DL-125KBL
LIXINC Part # IS43TR16512S2DL-125KBL
Fabricante ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Categoría circuitos integrados › memoria
Descripción IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LWBGA
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD IS43TR16512S2DL-125KBL Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 28 - Nov 01 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IS43TR16512S2DL-125KBL Especificaciones

Número de parte:IS43TR16512S2DL-125KBL
Marca:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:circuitos integrados
Subcategoría:memoria
Fabricante:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
serie:Automotive, AEC-Q100
paquete:Tray
estado de la pieza:Active
tipo de memoria:Volatile
formato de memoria:DRAM
tecnología:SDRAM - DDR3L
tamaño de la memoria:8Gb (512M x 16)
interfaz de memoria:Parallel
frecuencia de reloj:800 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:15ns
tiempo de acceso:20 ns
suministro de voltaje:1.283V ~ 1.45V
Temperatura de funcionamiento:0°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:96-LFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:96-LWBGA (9x13)

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