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IS62WV25616DALL-55B2I

IS62WV25616DALL-55B2I
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Número de parte IS62WV25616DALL-55B2I
LIXINC Part # IS62WV25616DALL-55B2I
Fabricante ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Categoría circuitos integrados › memoria
Descripción IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48MINIBGA
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD IS62WV25616DALL-55B2I Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 20 - Oct 24 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IS62WV25616DALL-55B2I Especificaciones

Número de parte:IS62WV25616DALL-55B2I
Marca:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:circuitos integrados
Subcategoría:memoria
Fabricante:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
serie:-
paquete:Tray
estado de la pieza:Obsolete
tipo de memoria:Volatile
formato de memoria:SRAM
tecnología:SRAM - Asynchronous
tamaño de la memoria:4Mb (256K x 16)
interfaz de memoria:Parallel
frecuencia de reloj:-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:55ns
tiempo de acceso:55 ns
suministro de voltaje:1.65V ~ 2.2V
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:48-TFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:48-miniBGA (6x8)

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