MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E | Micron Technology MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Inventory, Best Pricing

MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E

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Número de parte	MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
LIXINC Part #	MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
Fabricante	Micron Technology
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC FLASH RAM 4GBIT PAR 162VFBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Especificaciones

Número de parte:	MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
Marca:	Micron Technology
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Micron Technology
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de memoria:	Non-Volatile
formato de memoria:	FLASH, RAM
tecnología:	FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
tamaño de la memoria:	4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	533 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	-
suministro de voltaje:	1.8V
Temperatura de funcionamiento:	-25°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	162-VFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	162-VFBGA (11.5x13)

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