MT41K512M8V00HWC1-N002

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Número de parte MT41K512M8V00HWC1-N002
LIXINC Part # MT41K512M8V00HWC1-N002
Fabricante Micron Technology
Categoría circuitos integradosmemoria
Descripción IC DRAM 4GBIT PARALLEL
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD MT41K512M8V00HWC1-N002 Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 31 - Nov 04 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
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MT41K512M8V00HWC1-N002 Especificaciones

Número de parte:MT41K512M8V00HWC1-N002
Marca:Micron Technology
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:circuitos integrados
Subcategoría:memoria
Fabricante:Micron Technology
serie:-
paquete:Bulk
estado de la pieza:Obsolete
tipo de memoria:Volatile
formato de memoria:DRAM
tecnología:SDRAM - DDR3L
tamaño de la memoria:4Gb (512M x 8)
interfaz de memoria:Parallel
frecuencia de reloj:-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:-
tiempo de acceso:-
suministro de voltaje:1.283V ~ 1.45V
Temperatura de funcionamiento:0°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montaje:-
paquete / caja:-
paquete de dispositivos del proveedor:-

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