MT53B512M64D4NK-062 WT ES:C TR

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Número de parte MT53B512M64D4NK-062 WT ES:C TR
LIXINC Part # MT53B512M64D4NK-062 WT ES:C TR
Fabricante Micron Technology
Categoría circuitos integradosmemoria
Descripción IC DRAM 32GBIT 1600MHZ 366WFBGA
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD MT53B512M64D4NK-062 WT ES:C TR Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 31 - Nov 04 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
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MT53B512M64D4NK-062 WT ES:C TR Especificaciones

Número de parte:MT53B512M64D4NK-062 WT ES:C TR
Marca:Micron Technology
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:circuitos integrados
Subcategoría:memoria
Fabricante:Micron Technology
serie:-
paquete:Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:Active
tipo de memoria:Volatile
formato de memoria:DRAM
tecnología:SDRAM - Mobile LPDDR4
tamaño de la memoria:32Gb (512M x 64)
interfaz de memoria:-
frecuencia de reloj:1.6 GHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:-
tiempo de acceso:-
suministro de voltaje:1.1V
Temperatura de funcionamiento:-30°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:366-WFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:366-WFBGA (15x15)

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