2SA1955FVATPL3Z

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Número de parte 2SA1955FVATPL3Z
LIXINC Part # 2SA1955FVATPL3Z
Fabricante Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría semiconductor discretotransistores - bipolar (bjt) - simple
Descripción TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD 2SA1955FVATPL3Z Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 27 - Oct 31 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

2SA1955FVATPL3Z Especificaciones

Número de parte:2SA1955FVATPL3Z
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:semiconductor discreto
Subcategoría:transistores - bipolar (bjt) - simple
Fabricante:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:-
paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:Obsolete
tipo de transistor:PNP
corriente - colector (ic) (max):400 mA
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):12 V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:250mV @ 10mA, 200mA
corriente - corte del colector (máx.):100nA (ICBO)
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:300 @ 10mA, 2V
potencia - máx.:100 mW
frecuencia - transición:130MHz
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:SC-101, SOT-883
paquete de dispositivos del proveedor:CST3

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