BD809G

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Número de parte BD809G
LIXINC Part # BD809G
Fabricante Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría semiconductor discretotransistores - bipolar (bjt) - simple
Descripción TRANS NPN 80V 10A TO220AB
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD BD809G Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 31 - Nov 04 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BD809G Especificaciones

Número de parte:BD809G
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:semiconductor discreto
Subcategoría:transistores - bipolar (bjt) - simple
Fabricante:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:-
paquete:Tube
estado de la pieza:Active
tipo de transistor:NPN
corriente - colector (ic) (max):10 A
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):80 V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:1.1V @ 300mA, 3A
corriente - corte del colector (máx.):1mA (ICBO)
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:15 @ 4A, 2V
potencia - máx.:90 W
frecuencia - transición:1.5MHz
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
paquete / caja:TO-220-3
paquete de dispositivos del proveedor:TO-220AB

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