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2N5550

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Número de parte	2N5550
LIXINC Part #	2N5550
Fabricante	NTE Electronics, Inc.
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolar (bjt) - simple
Descripción	T-NPN SI- HIV AMP
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	2N5550 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 09 - Oct 13 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

2N5550 Especificaciones

Número de parte:	2N5550
Marca:	NTE Electronics, Inc.
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolar (bjt) - simple
Fabricante:	NTE Electronics, Inc.
serie:	-
paquete:	Bag
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	NPN
corriente - colector (ic) (max):	600 mA
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	140 V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:	250mV @ 5mA, 50mA
corriente - corte del colector (máx.):	100nA (ICBO)
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	60 @ 10mA, 5V
potencia - máx.:	625 mW
frecuencia - transición:	300MHz
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-92-3

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