SIHU5N50D-E3 | Vishay / Siliconix SIHU5N50D-E3 | SIHU5N50D-E3 Inventory, Best Pricing

SIHU5N50D-E3

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	SIHU5N50D-E3
LIXINC Part #	SIHU5N50D-E3
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251AA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	SIHU5N50D-E3 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

SIHU5N50D-E3 Especificaciones

Número de parte:	SIHU5N50D-E3
Marca:	Vishay / Siliconix
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Vishay / Siliconix
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	500 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	5.3A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	1.5Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	20 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	325 pF @ 100 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-251AA
paquete / caja:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA