Solo por referencia
Número de parte | SIA483DJ-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SIA483DJ-T1-GE3 |
Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoría | semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples |
Descripción | MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6 |
Ciclo vital | Activo |
RoHS | Sin información RoHS |
Modelos EDA/CAD | SIA483DJ-T1-GE3 Huella y símbolo de PCB |
Almacenes | Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong |
Entrega estimada | Oct 09 - Oct 13 2024(Elija envío acelerado) |
Garantía | Hasta 1 año [Garantía limitada]* |
Pago | |
Envío |
Número de parte: | SIA483DJ-T1-GE3 |
Marca: | Vishay / Siliconix |
Ciclo vital: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoría: | semiconductor discreto |
Subcategoría: | transistores - fets, mosfets - simples |
Fabricante: | Vishay / Siliconix |
serie: | TrenchFET® |
paquete: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
estado de la pieza: | Active |
tipo de feto: | P-Channel |
tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss): | 30 V |
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c: | 12A (Tc) |
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado): | 4.5V, 10V |
rds en (máx.) @ id, vgs: | 21mOhm @ 5A, 10V |
vgs(th) (máx) @ id: | 2.2V @ 250µA |
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs: | 45 nC @ 10 V |
vgs (máx.): | ±20V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds: | 1550 pF @ 15 V |
característica fet: | - |
disipación de potencia (máx.): | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
paquete de dispositivos del proveedor: | PowerPAK® SC-70-6 Single |
paquete / caja: | PowerPAK® SC-70-6 |
NIF9N05CLT3 | MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223 | 8309 Más sobre el pedido |
|
FKI10126 | MOSFET N-CH 100V 41A TO220F | 919 Más sobre el pedido |
|
IPI80N04S2-04 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1132 Más sobre el pedido |
|
TK7A50D(STA4,Q,M) | MOSFET N-CH 500V 7A TO220SIS | 821 Más sobre el pedido |
|
ES6U42T2R | MOSFET P-CH 20V 1A 6WEMT | 873 Más sobre el pedido |
|
BSC018N04LSGATMA1 | MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON | 5169 Más sobre el pedido |
|
EPC2203 | GANFET N-CH 80V 1.7A DIE | 1390 Más sobre el pedido |
|
IRF540ZLPBF | MOSFET N-CH 100V 36A TO262 | 1956 Más sobre el pedido |
|
AUIRF6218STRL | AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL | 878 Más sobre el pedido |
|
SI4435DDY-T1-E3 | MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO | 13937 Más sobre el pedido |
|
SQS484EN-T1_GE3 | MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8 | 9717 Más sobre el pedido |
|
CSD17305Q5A | MOSFET N-CH 30V 29A/100A 8VSON | 2364 Más sobre el pedido |
|
SPA06N60C3XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 6.2A TO220-FP | 872 Más sobre el pedido |
En stock | 17006 - Más sobre el pedido |
---|---|
Límite de cotización | Sin límite |
Tiempo de espera | Para ser confirmado |
Mínimo | 1 |
Consejos cálidos: por favor complete el formulario a continuación. Nos pondremos en contacto con usted tan pronto como sea posible.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $0.53000 | $0.53 |
3000 | $0.19490 | $584.7 |
6000 | $0.18233 | $1093.98 |
15000 | $0.16976 | $2546.4 |
30000 | $0.16095 | $4828.5 |
Lixinc le ofrecerá los precios más competitivos, consulte las cotizaciones.
Por favor, siéntase libre de contactarnos para más detalles.