BUK7Y18-75B,115 | Nexperia BUK7Y18-75B,115 | BUK7Y18-75B,115 Inventory, Best Pricing

BUK7Y18-75B,115

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Número de parte	BUK7Y18-75B,115
LIXINC Part #	BUK7Y18-75B,115
Fabricante	Nexperia
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 75V 49A LFPAK56
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BUK7Y18-75B,115 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BUK7Y18-75B,115 Especificaciones

Número de parte:	BUK7Y18-75B,115
Marca:	Nexperia
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Nexperia
serie:	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	75 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	49A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	18mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	35 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	2173 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	105W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	LFPAK56, Power-SO8
paquete / caja:	SC-100, SOT-669

RM10N100S8	MOSFET N-CHANNEL 100V 10A 8SOP	814 Más sobre el pedido
AOL1454G	MOSFET N-CH 40V 25A/46A ULTRASO8	825 Más sobre el pedido
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BSC340N08NS3GATMA1	MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5	997 Más sobre el pedido
2SK1589-T1B-A	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	46449 Más sobre el pedido
IPI90R340C3XKSA2	MOSFET N-CH 900V 15A TO262-3	950 Más sobre el pedido
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