ZXMN10B08E6TA | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) ZXMN10B08E6TA

ZXMN10B08E6TA

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	ZXMN10B08E6TA
LIXINC Part #	ZXMN10B08E6TA
Fabricante	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	ZXMN10B08E6TA Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

ZXMN10B08E6TA Especificaciones

Número de parte:	ZXMN10B08E6TA
Marca:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	100 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	1.6A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.3V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	230mOhm @ 1.6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	9.2 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	497 pF @ 50 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	SOT-26
paquete / caja:	SOT-23-6