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IRL80HS120

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Número de parte	IRL80HS120
LIXINC Part #	IRL80HS120
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IRL80HS120 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IRL80HS120 Especificaciones

Número de parte:	IRL80HS120
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	80 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	12.5A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	32mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2V @ 10µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	7 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	540 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	11.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	6-PQFN (2x2)
paquete / caja:	6-VDFN Exposed Pad